Новые чипы памяти построены на 20-нм техпроцессе и обеспечивают 20% снижение энергопотребления по сравнению с 8 Гбит памятью Samsung, при этом отличаясь на 30% более высокой скоростью работы.
Объединив 4 таких чипа, производители смогут выпускать смартфоны с 6 ГБ оперативной памяти, а это поможет им добиться «бесшовной многозадачности и максимальной производительности» своих новых продуктов.
В декабре 2014 года Samsung стала первой в мире компанией, наладившей массовое производство 8 Гбит LPDDR4 RAM. Она позволила увеличить оперативную память гаджетов до 4 ГБ и нашла свое применение в таких флагманских смартфонах, как OnePlus 2, Samsung Galaxy S6 edge+ и Galaxy Note 5.
