Новые чипы позиционируются производителем в качестве «наиболее продвинутой DDR3 памяти», основанной на 20-нм техпроцессе.
В чипах используется улучшенная технология двойного структурирования с иммерсионной ArF-литографией, которая будет применяться корейцами и при создании следующего поколения DRAM-памяти на основе 10-нм техпроцесса.
Новые чипы на 25% энергоэффективнее предыдущей 25-нм DDR3-памяти.