Новая память способна увеличить объём RAM мобильных устройств до 4 ГБ, тогда как размер оперативной памяти всех сегодняшних аппаратов корейского производителя не превышает 3 ГБ.
8-гигабитная LPDDR4 RAM память Samsung выполнена на основе 20-нм техпроцесса и использует LVSTL I/O интерфейс. Благодаря этому её скорость обмена данных может достигать 3200 Мбит/с на контакт. Новый чип памяти на 50% производительнее современных аналогов и потребляет на 40% меньше энергии.
Журналисты ZDNet утверждают, что 8-гигабитная LPDDR4 RAM память будет использоваться в новом флагманском смартфоне Samsung Galaxy S5. Т.е. он получит 4 ГБ оперативной памяти, и это позволит смартфону более эффективно работать с 64-битным процессором.
