При этом в компании заявили о продолжении работ над улучшением чипсета Snapdragon 820 и подтвердили появлявшиеся до этого утечки о том, что аппаратная платформа основана на 14-нм техпроцессе, использование которого практически исключает возможность возникновения проблем с перегревом.
По слухам, в Snapdragon 820 используются 4 кастомных ядра Kryo с тактовой частотой до 2,2 ГГц, обеспечивающих двукратный прирост производительности и улучшение энергоэффективности по сравнению с чипсетом Snapdragon 810.
А, судя по тому, что Snapdragon 820 будет использоваться во флагманском смартфоне Samsung Galaxy S7, массовое производство этого чипсета должно начаться не позднее конца декабря 2015 или начала января 2015 года.
