Новые усилители для сети 3G
08.10 20:19 //
Mobiset.Ru - сотовые телефоны
Компания TriQuint Semiconductor провела тестирование усилителя HV-HBT, созданного на основе нового поколения арсенид-галлиевых (GaAs) транзисторов. Эти транзисторы существенно увеличивают мощность 3G-базовых станций. Упомянутый тест показал 57-процентное увеличение мощности. Таким образом, новое поколение транзисторов оказалось эффективнее как полупроводников LDMOS, так и нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов.
Значимость успешного тестирования состоит в том, что увеличение эффективности усилителей в 3G-сетях означает снижение затрат на электроэнергию. А именно с подобными существенными затратами столкнулись операторы 3G-сетей в последнее время.
Другие новости:
|
